Привыкший находиться в гуще событий полупроводниковой отрасли ресурс TrendForce продолжает регулярно отслеживать изменение цен на память. Первоначально именно в сегменте DRAM началось оживление спроса, вызванное бумом ИИ, но теперь память типа NAND дорожает даже более высокими темпами, в несколько раз превышающими динамику цен на рынке оперативной памяти.
Почему ИИ никак не сесть на безматричную диету
Пять причин полюбить HONOR X8c
Пять причин полюбить HONOR Pad V9
Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия
HUAWEI FreeArc: вероятно, самые удобные TWS-наушники
Пять причин полюбить HONOR Magic7 Pro
Фитнес-браслет HUAWEI Band 10: настоящий металл
Обзор умных часов HUAWEI WATCH 5: часы юбилейные

По словам источника, за предыдущие семь дней торговля DDR4 и DDR5 заметно оживилась, поскольку покупатели начали подстраховываться от дальнейшего роста цен и покупать память на текущих уровнях. Средняя цена ходовых микросхем типа DDR4 за прошедшую неделю на рынке моментальных сделок в результате выросла на 9,86 %. В сегменте NAND стоимость некоторых кремниевых пластин с твердотельной памятью за неделю подскочила на 15–20 %.
В сегменте DRAM, как поясняет TrendForce, производители модулей памяти начали сдерживать реализацию продукции, рассчитывая позже продать её по более высоким ценам. Это дополнительно способствует повышению цен на оперативную память, но при этом объёмы продаж тоже росли на прошедшей неделе, поскольку производителям электроники важно поддерживать стабильные складские запасы комплектующих.

В сегменте NAND производители не стесняются поднимать цены, поэтому на срочном рынке они росли на величину до 15–20 % по сравнению с предыдущей неделей. Больше всего подорожали 512-гигабитные и 1-терабитные чипы памяти типа TLC. Ограничение предложения в сочетании с ожиданиями дальнейшего роста цен вызвало повышенную активность покупателей и в этом сегменте. Кремниевые пластины с микросхемами TLC по 512 гигабит выросли в цене на этой неделе на 27,96 % на рынке моментальных сделок, как сообщает TrendForce.